आकृतियां केवल संदर्भ के लिए हैं
1 : $6.1740
$2,000 से अधिक के ऑर्डर के साथ पहली बार पंजीकरण करने पर $100 का कूपन मिलता है। अब रेजिस्टर करें !
Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
उत्पादक मॉडल :ALD212900PAL
उत्पादक :Advanced Linear Devices Inc.
Dasenic मॉडल :ALD212900PAL-DS
दस्तावेज़ :
ALD212900PAL दस्तावेज़
ALD212900PAL दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 6.1740 | $ 6.17 |
| 50+ | $ 3.5705 | $ 178.53 |
| 100+ | $ 6.1740 | $ 617.4 |
| 500+ | $ 3.0825 | $ 1541.25 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1528
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 6.174
कुल :$ 6.17
वितरण :
भुगतान :
अपनी लागत और समय बचाने में आपकी सहायता करें
सख्त गुणवत्ता निरीक्षण और माल के लिए विश्वसनीय पैकेज
समय बचाने के लिए तेज़ विश्वसनीय डिलीवरी
बिक्री के बाद 365 दिनों की वारंटी सेवा प्रदान करें
ALD212900PAL सूचना
Advanced Linear Devices Inc. ALD212900PAL तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
- パワー - 最大:500mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDIP
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):10.6V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:80mA
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:14Ohm
- Vgs(th) (最大) @ Id:20mV @ 20µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:30pF @ 5V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ALD212900PAL द्वारा उपलब्ध कराया गया Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc. संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
