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GaNPower GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
उत्पादक मॉडल :GPI65005DF
उत्पादक :GaNPower
Dasenic मॉडल :GPI65005DF-DS
दस्तावेज़ :
GPI65005DF दस्तावेज़
GPI65005DF दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
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GPI65005DF सूचना
GaNPower GPI65005DF तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:Die
- तकनीकी:GaNFET (Gallium Nitride)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Die
- शक्ति अपव्यय (अधिकतम):-
- एफईटी प्रकार:N-Channel
- एफईटी सुविधा:-
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):650 V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:5A
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:-
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.4V @ 1.75mA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:2.6 nC @ 6 V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:45 pF @ 400 V
- ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):6V
- वीजीएस (अधिकतम):+7.5V, -12V
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- एमएसएल रेटिंग:Vendor omitted MSL Rating information
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.29.0095
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65005DF द्वारा उपलब्ध कराया गया GaNPower
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