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General Electric GE12047CCA3
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
उत्पादक मॉडल :GE12047CCA3
उत्पादक :General Electric
Dasenic मॉडल :GE12047CCA3-DS
दस्तावेज़ :
GE12047CCA3 दस्तावेज़
GE12047CCA3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : 1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 2174.0000 | $ 2174 |
| 10+ | $ 2048.0000 | $ 20480 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1450
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 2174
कुल :$ 2174.00
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GE12047CCA3 सूचना
General Electric GE12047CCA3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (Tc)
- माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
- पैकेज / केस:Module
- शक्ति - अधिकतम:1250W
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:-
- एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Half Bridge)
- एफईटी सुविधा:Silicon Carbide (SiC)
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):1200V (1.2kV)
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:475A
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:4.4mOhm @ 475A, 20V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:4.5V @ 160mA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:1248nC @ 18V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:29.3nF @ 600V
- ईयू RoHS स्थिति:The vendor has not updated the RoHS info
- पहुंच स्थिति:REACH is not defined
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.29.0095
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GE12047CCA3 द्वारा उपलब्ध कराया गया General Electric
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