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1 : $528.5000
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GeneSiC Semiconductor MSRT200120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
उत्पादक मॉडल :MSRT200120(A)D
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :MSRT200120(A)D-DS
दस्तावेज़ :
MSRT200120(A)D दस्तावेज़
MSRT200120(A)D दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 20+ | $ 528.5000 | $ 10570 |
| 40+ | $ 278.9200 | $ 11156.8 |
| 60+ | $ 191.8200 | $ 11509.2 |
| 80+ | $ 187.9800 | $ 15038.4 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 2469
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 528.5
कुल :$ 528.50
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MSRT200120(A)D सूचना
GeneSiC Semiconductor MSRT200120(A)D तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Three Tower
- サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 200 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1200 V
- ダイオード構成:1 Pair Series Connection
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MSRT200120(A)D द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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