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Global Power Technology-GPT G3S12002D
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI
उत्पादक मॉडल :G3S12002D
उत्पादक :Global Power Technology-GPT
Dasenic मॉडल :G3S12002D-DS
दस्तावेज़ :
G3S12002D दस्तावेज़
G3S12002D दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI
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| मात्रा | मापक | कुल |
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G3S12002D सूचना
Global Power Technology-GPT G3S12002D तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):7A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 2 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:136pF @ 0V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH info available upon request
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3S12002D द्वारा उपलब्ध कराया गया Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
Global Power Technology-GPT संबंधित उत्पादक
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