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Global Power Technology-GPT G3S12003A
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
उत्पादक मॉडल :G3S12003A
उत्पादक :Global Power Technology-GPT
Dasenic मॉडल :G3S12003A-DS
दस्तावेज़ :
G3S12003A दस्तावेज़
G3S12003A दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
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| मात्रा | मापक | कुल |
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G3S12003A सूचना
Global Power Technology-GPT G3S12003A तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
- पैकेज / केस:TO-220-2
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-220AC
- रफ़्तार:No Recovery Time > 500mA (Io)
- डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
- वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):12A (DC)
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.7 V @ 3 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:100 µA @ 1200 V
- धारिता @ Vr, F:260pF @ 0V, 1MHz
- वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1200 V
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):0 ns
- ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 175°C
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH info available upon request
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0080
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3S12003A द्वारा उपलब्ध कराया गया Global Power Technology-GPT
ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड (GPT) चीन के सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर डिवाइस के औद्योगिकीकरण में अग्रणी कंपनियों में से एक है। चीन में पहली SiC पावर डिवाइस निर्माता के रूप में जानी जाने वाली GPT बीजिंग में स्थित एक पूर्ण सेमीकंडक्टर फैब की मालिक है। उत्पादन लाइन 4/6-इंच वेफर फैब्रिकेशन के साथ संगत है। पहली घरेलू SiC डिवाइस R&D और उत्पादन प्लेटफ़ॉर्म सेवा कंपनी के रूप में, GPT की उत्पादन लाइन में बुनियादी कोर प्रौद्योगिकी उत्पाद, SIC मोल्डिंग उत्पाद और कई औद्योगिक समाधान शामिल हैं। कंपनी के मुख्य उत्पादों का प्रतिनिधित्व SiC शॉटकी डायोड द्वारा किया जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड उत्पादों की श्रृंखला को बड़े पैमाने पर उत्पादन में डाल दिया गया है, उत्पादों की गुणवत्ता की तुलना दुनिया में उसी उद्योग के उन्नत स्तर से की जा सकती है।
Global Power Technology-GPT संबंधित उत्पादक
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