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Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
उत्पादक मॉडल :IGB03N120H2ATMA1
उत्पादक :Infineon Technologies
Dasenic मॉडल :IGB03N120H2ATMA1-DS
दस्तावेज़ :
IGB03N120H2ATMA1 दस्तावेज़
IGB03N120H2ATMA1 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 3.1260 | $ 31.26 |
| 1000+ | $ 2.0840 | $ 2084 |
| 2000+ | $ 1.9798 | $ 3959.6 |
| 5000+ | $ 1.9053 | $ 9526.5 |
| 10000+ | $ 1.8423 | $ 18423 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 57
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.126
कुल :$ 3.13
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IGB03N120H2ATMA1 सूचना
Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- उत्पाद स्थिति:Last Time Buy
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- इनपुट प्रकार:Standard
- शक्ति - अधिकतम:62.5 W
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-TO263-3-2
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-
- करंट - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):9.6 A
- वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):1200 V
- आईजीबीटी प्रकार:-
- Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic:2.8V @ 15V, 3A
- वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम):9.9 A
- स्विचिंग ऊर्जा:290µJ
- गेट चार्ज:22 nC
- टीडी (चालू/बंद) @ 25° C:9.2ns/281ns
- परीक्षण की स्थिति:800V, 3A, 82Ohm, 15V
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.29.0095
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IGB03N120H2ATMA1 द्वारा उपलब्ध कराया गया Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) पावर सिस्टम और IoT में एक वैश्विक सेमीकंडक्टर लीडर है। Infineon अपने उत्पादों और समाधानों के साथ डीकार्बोनाइजेशन और डिजिटलीकरण को बढ़ावा देता है। कंपनी के सेमीकंडक्टर उत्पादों में ASIC, बैटरी प्रबंधन IC, घड़ियाँ और टाइमिंग समाधान, ESD और सर्ज प्रोटेक्शन, मेमोरी माइक्रोकंट्रोलर, RF, सुरक्षा और स्मार्ट कार्ड समाधान, सेंसर, छोटे सिग्नल ट्रांजिस्टर और डायोड, ट्रांसीवर, वायरलेस कनेक्टिविटी, सॉफ़्टवेयर और बहुत कुछ शामिल हैं। इन उत्पादों का उपयोग ऑटोमोटिव, ग्रीन इंडस्ट्रियल पावर, पावर मैनेजमेंट, सेंसिंग समाधान और IoT अनुप्रयोगों में सुरक्षा में किया जाता है। Infineon Technologies की स्थापना 1999 में Siemens AG से अलग होकर की गई थी। कंपनी का मुख्यालय जर्मनी के म्यूनिख के पास न्यूबिबर्ग में है और दुनिया भर में इसके लगभग 56,200 कर्मचारी और 155 स्थान हैं।
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