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Infineon Technologies IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- उत्पादक मॉडल :IPD088N06N3GATMA1
- उत्पादक :Infineon Technologies
- Dasenic मॉडल :IPD088N06N3GATMA1-DS
- दस्तावेज़ :
IPD088N06N3GATMA1 दस्तावेज़
- वर्णन : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- पैकिंग :-
- मात्रा :मापक : $ 0.3882कुल : $ 0.39
- प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
- शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
- वितरण :
- भुगतान :
स्पॉट इन्वेंट्री: 14244
( MOQ : 1 PCS )मूल्य निर्धारण (USD) : *सभी मूल्य अमेरिका डॉलर में गणना है
मात्रा | मापक | कुल |
1 + | $ 0.3882 | $ 0.39 |
25 + | $ 0.3804 | $ 9.51 |
100 + | $ 0.3649 | $ 36.49 |
500 + | $ 0.3494 | $ 174.70 |
1000 + | $ 0.3299 | $ 329.90 |
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Infineon Technologies IPD088N06N3GATMA1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3-311
消費電力(最大):71W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 34µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:48 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3900 pF @ 30 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Infineon Technologies IPD088N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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