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ISSI® IS43LQ16128A-062BLI-TR
उत्पादक मॉडल :IS43LQ16128A-062BLI-TR
उत्पादक :ISSI®
Dasenic मॉडल :IS43LQ16128A-062BLI-TR-DS
दस्तावेज़ : IS43LQ16128A-062BLI-TR दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
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पैकिंग :-
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IS43LQ16128A-062BLI-TR सूचना
ISSI® IS43LQ16128A-062BLI-TR तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- उत्पाद स्थिति:Active
- पैकेज / केस:200-VFBGA
- तकनीकी:SDRAM - Mobile LPDDR4
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 95°C (TC)
- वोल्टेज-आपूर्ति:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- मेमोरी का आकार:2Gbit
- मेमोरी प्रकार:Volatile
- घड़ीआवृत्ति:1.6 GHz
- पहूंच समय:3.5 ns
- मेमोरीफ़ॉर्मेट:DRAM
- मेमोरीइंटरफ़ेस:LVSTL
- मेमोरीऑर्गनाइजेशन:128M x 16
- Write Cycle Time-वर्डपेज:18ns
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LQ16128A-062BLI-TR द्वारा उपलब्ध कराया गया ISSI®
1988 में स्थापित, इंटीग्रेटेड सिलिकॉन सॉल्यूशन, इंक. (ISSI) एक सेमीकंडक्टर कंपनी है जो एकीकृत सर्किट (IC) और मेमोरी उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला के डिजाइन, विकास और निर्माण में माहिर है। हम निम्नलिखित प्रमुख बाजारों के लिए उच्च प्रदर्शन वाले एकीकृत सर्किट डिजाइन, विकसित और विपणन करते हैं: ऑटोमोटिव, औद्योगिक और चिकित्सा, संचार/उद्यम और डिजिटल उपभोक्ता। हमारे प्राथमिक उत्पाद उच्च गति और कम शक्ति वाले SRAM और कम और मध्यम घनत्व वाले DRAM, NOR/NAND फ्लैश और eMMC उत्पाद हैं। ISSI हमारे ग्राहकों की अनूठी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन और अनुप्रयोग-विशिष्ट समाधान भी प्रदान करता है। ISSI का क्षेत्रीय मुख्यालय कैलिफ़ोर्निया में है, जिसके दुनिया भर में मुख्यभूमि चीन, यूरोप, हांगकांग, भारत, इज़राइल, जापान, कोरिया, सिंगापुर और ताइवान और अमेरिका में कार्यालय हैं।
ISSI® संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।