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IXYS DS1-12D
DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL
उत्पादक मॉडल :DS1-12D
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :DS1-12D-DS
दस्तावेज़ :
DS1-12D दस्तावेज़
DS1-12D दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL
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| मात्रा | मापक | कुल |
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DS1-12D सूचना
IXYS DS1-12D तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:Radial
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):2.3A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.3 V @ 7 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:700 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
DS1-12D द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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