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IXYS DS9-08F
DIODE GEN PURP 800V 11A DO203AA
उत्पादक मॉडल :DS9-08F
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :DS9-08F-DS
दस्तावेज़ :
DS9-08F दस्तावेज़
DS9-08F दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 800V 11A DO203AA
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| मात्रा | मापक | कुल |
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DS9-08F सूचना
IXYS DS9-08F तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-203AA
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):11A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.4 V @ 36 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 800 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):800 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 180°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
DS9-08F द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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