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IXYS FII24N17AH1S

IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :FII24N17AH1S
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :FII24N17AH1S-DS
दस्तावेज़ :pdf download FII24N17AH1S दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
25+$ 60.0000$ 1500
100+$ 58.9000$ 5890
250+$ 56.7800$ 14195
स्पॉट इन्वेंट्री: 1751
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 60
कुल :$ 60.00
वितरण :
dhlupsfedex
भुगतान :
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FII24N17AH1S सूचना

  • IXYS FII24N17AH1S तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Arrays
  • उत्पाद स्थिति:Active
  • परिचालन तापमान:-
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • पैकेज / केस:i4-Pac™-5
  • शक्ति - अधिकतम:140 W
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:ISOPLUS i4-PAC™
  • विन्यास:Half Bridge
  • इनपुट:Standard
  • करंट - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):18 A
  • वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):1700 V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):100 µA
  • आईजीबीटी प्रकार:NPT
  • Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic:6V @ 15V, 16A
  • इनपुट कैपेसिटेंस ( Cies) @ Vce:2.4 nF @ 25 V
  • एनटीसी थर्मिस्टर:No
  • ईयू RoHS स्थिति:RoHS3(EU 2015/863)
  • एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • पहुंच स्थिति:REACH is not affected
  • यूएस ईसीसीएन:EAR99
  • एचटीएस यूएस:8541.29.0095
  • कैलिफ़ोर्निया प्रस्ताव 65:WARNING: This product may contain chemicals prohibited by Proposition 65.
  • चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FII24N17AH1S द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
1983 में सिलिकॉन वैली में अपनी स्थापना के बाद से, IXYS कॉर्पोरेशन (NASDAQ:IXYS) पावर सेमीकंडक्टर, सॉलिड स्टेट रिले, हाई वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट और माइक्रोकंट्रोलर के विकास में दुनिया भर में अग्रणी रहा है। औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता, चिकित्सा और परिवहन उद्योगों में 3,500 से अधिक के अंतिम ग्राहक आधार के साथ, IXYS उन्नत सेमीकंडक्टर का दुनिया भर में मान्यता प्राप्त प्रदाता है। IXYS विभिन्न सेमीकंडक्टर तकनीकों पर ध्यान केंद्रित करता है, जिसमें पावर MOSFETs, IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर), रेक्टिफायर, थाइरिस्टर, डायोड और अन्य असतत और एकीकृत सेमीकंडक्टर समाधान शामिल हैं। कंपनी मिश्रित-सिग्नल और एनालॉग IC, RF पावर एम्पलीफायर और पावर मैनेजमेंट IC भी बनाती है। जनवरी 2018 में, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) ने IXYS कॉर्पोरेशन का अधिग्रहण पूरा कर लिया और IXYS को NASDAQ से हटा दिया गया।
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हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।

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