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IXYS IXFX32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
उत्पादक मॉडल :IXFX32N100P
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXFX32N100P-DS
दस्तावेज़ :
IXFX32N100P दस्तावेज़
IXFX32N100P दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 19.4490 | $ 19.45 |
| 30+ | $ 13.0317 | $ 390.95 |
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मात्रा :
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कुल :$ 19.45
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IXFX32N100P सूचना
IXYS IXFX32N100P तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3 Variant
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS247™-3
- 消費電力（最大）:960W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:32A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:320mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:6.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:225 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:14200 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXFX32N100P द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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