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IXYS IXGP30N60B2

IGBT 600V 70A 190W TO220
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :IXGP30N60B2
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXGP30N60B2-DS
दस्तावेज़ :pdf download IXGP30N60B2 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT 600V 70A 190W TO220
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
50+$ 3.9536$ 197.68
स्पॉट इन्वेंट्री: 2039
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.9536
कुल :$ 3.95
वितरण :
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भुगतान :
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IXGP30N60B2 सूचना

  • IXYS IXGP30N60B2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-3
  • 入力タイプ:Standard
  • パワー - 最大:190 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):70 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
  • I G B Tタイプ:-
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.8V @ 15V, 24A
  • 電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
  • エネルギーの切り替え:320µJ (off)
  • ゲートチャージ:66 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25° C:13ns/110ns
  • テスト条件:400V, 24A, 5Ohm, 15V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXGP30N60B2 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS संबंधित उत्पादक

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