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IXYS IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
उत्पादक मॉडल :IXTA08N120P
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXTA08N120P-DS
दस्तावेज़ :
IXTA08N120P दस्तावेज़
IXTA08N120P दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 3.7170 | $ 3.72 |
| 10+ | $ 3.6810 | $ 36.81 |
| 50+ | $ 2.1240 | $ 106.2 |
| 100+ | $ 1.9530 | $ 195.3 |
| 500+ | $ 1.7820 | $ 891 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 3120
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 3.717
कुल :$ 3.72
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IXTA08N120P सूचना
IXYS IXTA08N120P तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
- 消費電力（最大）:50W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:800mA (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:25Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 50µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:333 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXTA08N120P द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS संबंधित उत्पादक
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