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IXYS IXTA4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
उत्पादक मॉडल :IXTA4N65X2
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXTA4N65X2-DS
दस्तावेज़ :
IXTA4N65X2 दस्तावेज़
IXTA4N65X2 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 4A TO263
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 2.8080 | $ 2.81 |
| 10+ | $ 2.1960 | $ 21.96 |
| 100+ | $ 1.7370 | $ 173.7 |
| 250+ | $ 1.3320 | $ 333 |
| 1000+ | $ 1.2870 | $ 1287 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1710
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 2.808
कुल :$ 2.81
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IXTA4N65X2 सूचना
IXYS IXTA4N65X2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263
- 消費電力（最大）:80W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:850mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8.3 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:455 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXTA4N65X2 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS संबंधित उत्पादक
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