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IXYS IXTD1R4N60P 11
MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
उत्पादक मॉडल :IXTD1R4N60P 11
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :IXTD1R4N60P 11-DS
दस्तावेज़ :
IXTD1R4N60P 11 दस्तावेज़
IXTD1R4N60P 11 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
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IXTD1R4N60P 11 सूचना
IXYS IXTD1R4N60P 11 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 消費電力（最大）:50W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.4A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9Ohm @ 700mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.5V @ 25µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:5.2 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:140 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXTD1R4N60P 11 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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