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IXYS LGD8201TH
DPAK, IGBT3
उत्पादक मॉडल :LGD8201TH
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :LGD8201TH-DS
दस्तावेज़ :
LGD8201TH दस्तावेज़
LGD8201TH दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DPAK, IGBT3
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 2.3641 | $ 2.36 |
| 2500+ | $ 2.1492 | $ 5373 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1270
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प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 2.3641
कुल :$ 2.36
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LGD8201TH सूचना
IXYS LGD8201TH तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 入力タイプ:Logic
- パワー - 最大:125 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):20 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):440 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.9V @ 4.5V, 20A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):50 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
LGD8201TH द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS संबंधित उत्पादक
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