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IXYS MIO1200-33E10

IGBT MODULE 3300V 1200A E10
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :MIO1200-33E10
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :MIO1200-33E10-DS
दस्तावेज़ :pdf download MIO1200-33E10 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT MODULE 3300V 1200A E10
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
स्पॉट इन्वेंट्री: 1338
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0
कुल :$ 0.00
वितरण :
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भुगतान :
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MIO1200-33E10 सूचना

  • IXYS MIO1200-33E10 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:E10
  • パワー - 最大:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:E10
  • 構成:Single Switch
  • 入力:Standard
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):1200 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):3300 V
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):120 mA
  • I G B Tタイプ:NPT
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.1V @ 15V, 1200A
  • 入力容量 ( Cies) @ Vce:187 nF @ 25 V
  • N T Cサーミスタ:No
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MIO1200-33E10 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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