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IXYS MUBW15-12A6K
IGBT MODULE 1200V 19A 90W E1
उत्पादक मॉडल :MUBW15-12A6K
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :MUBW15-12A6K-DS
दस्तावेज़ :
MUBW15-12A6K दस्तावेज़
MUBW15-12A6K दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT MODULE 1200V 19A 90W E1
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 24+ | $ 21.1084 | $ 506.6 |
| 3000+ | $ 21.0168 | $ 63050.4 |
| 6000+ | $ 20.9254 | $ 125552.4 |
| 9000+ | $ 20.8246 | $ 187421.4 |
| 12000+ | $ 20.7331 | $ 248797.2 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1524
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
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शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 21.1084
कुल :$ 21.11
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MUBW15-12A6K सूचना
IXYS MUBW15-12A6K तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E1
- パワー - 最大:90 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E1
- 構成:Three Phase Inverter with Brake
- 入力:Three Phase Bridge Rectifier
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):19 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:600 µA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.4V @ 15V, 15A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:600 pF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MUBW15-12A6K द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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