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IXYS UGE3126AY4
DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE
उत्पादक मॉडल :UGE3126AY4
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :UGE3126AY4-DS
दस्तावेज़ :
UGE3126AY4 दस्तावेज़
UGE3126AY4 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 160.5200 | $ 160.52 |
| 5+ | $ 160.5200 | $ 802.6 |
| 10+ | $ 160.5200 | $ 1605.2 |
| 25+ | $ 160.5200 | $ 4013 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1513
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 160.52
कुल :$ 160.52
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UGE3126AY4 सूचना
IXYS UGE3126AY4 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:UGE
- サプライヤーデバイスパッケージ:UGE
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):2A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:18 V @ 3 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 mA @ 24000 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):24000 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UGE3126AY4 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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