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IXYS VBO13-12NO2
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 18A FO-A
उत्पादक मॉडल :VBO13-12NO2
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :VBO13-12NO2-DS
दस्तावेज़ :
VBO13-12NO2 दस्तावेज़
VBO13-12NO2 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 18A FO-A
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| मात्रा | मापक | कुल |
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VBO13-12NO2 सूचना
IXYS VBO13-12NO2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:QC Terminal
- पैकेज / केस:4-Square, FO-A
- तकनीकी:Standard
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:FO-A
- डायोड प्रकार:Single Phase
- वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम):1.2 kV
- वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):18 A
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.8 V @ 55 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:300 µA @ 1200 V
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0080
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
VBO13-12NO2 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
1983 में सिलिकॉन वैली में अपनी स्थापना के बाद से, IXYS कॉर्पोरेशन (NASDAQ:IXYS) पावर सेमीकंडक्टर, सॉलिड स्टेट रिले, हाई वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट और माइक्रोकंट्रोलर के विकास में दुनिया भर में अग्रणी रहा है। औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता, चिकित्सा और परिवहन उद्योगों में 3,500 से अधिक के अंतिम ग्राहक आधार के साथ, IXYS उन्नत सेमीकंडक्टर का दुनिया भर में मान्यता प्राप्त प्रदाता है। IXYS विभिन्न सेमीकंडक्टर तकनीकों पर ध्यान केंद्रित करता है, जिसमें पावर MOSFETs, IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर), रेक्टिफायर, थाइरिस्टर, डायोड और अन्य असतत और एकीकृत सेमीकंडक्टर समाधान शामिल हैं। कंपनी मिश्रित-सिग्नल और एनालॉग IC, RF पावर एम्पलीफायर और पावर मैनेजमेंट IC भी बनाती है। जनवरी 2018 में, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) ने IXYS कॉर्पोरेशन का अधिग्रहण पूरा कर लिया और IXYS को NASDAQ से हटा दिया गया।
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