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IXYS VBO13-16NO2
उत्पादक मॉडल :VBO13-16NO2
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :VBO13-16NO2-DS
दस्तावेज़ : VBO13-16NO2 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : BRIDGE RECT 1P 1.6KV 18A FO-A
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 2979
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
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VBO13-16NO2 सूचना
IXYS VBO13-16NO2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:QC Terminal
- パッケージ/ケース:4-Square, FO-A
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:FO-A
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧(最大):1.6 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):18 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 55 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:300 µA @ 1600 V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
VBO13-16NO2 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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