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IXYS VUO16-12NO1
उत्पादक मॉडल :VUO16-12NO1
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :VUO16-12NO1-DS
दस्तावेज़ : VUO16-12NO1 दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : BRIDGE RECT 3P 1.2KV 20A V1-A
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 10
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
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VUO16-12NO1 सूचना
IXYS VUO16-12NO1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 130°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:V1-A
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:V1-A
- ダイオードタイプ:Three Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧(最大):1.2 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):20 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.15 V @ 7 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:300 µA @ 1200 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
VUO16-12NO1 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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