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IXYS VVZB120-12IO1
RECT BRIDGE 3PH 120V 1200V V2
उत्पादक मॉडल :VVZB120-12IO1
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :VVZB120-12IO1-DS
दस्तावेज़ :
VVZB120-12IO1 दस्तावेज़
VVZB120-12IO1 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : RECT BRIDGE 3PH 120V 1200V V2
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| मात्रा | मापक | कुल |
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VVZB120-12IO1 सूचना
IXYS VVZB120-12IO1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:V2-PAK
- 構造:Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):200 mA
- 電圧 - オフ状態:1.2 kV
- S C R、ダイオードの数:3 SCRs, 3 Diodes
- 電流 - オン状態 ( It ( A V)) (最大):120 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):1.5 V
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):100 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):750A @ 50MHz
- 基本製品番号:VVZB
- パッケージ:Box
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.30.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
VVZB120-12IO1 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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