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IXYS W6672TE320
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -
उत्पादक मॉडल :W6672TE320
उत्पादक :IXYS
Dasenic मॉडल :W6672TE320-DS
दस्तावेज़ :
W6672TE320 दस्तावेज़
W6672TE320 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 12+ | $ 878.9000 | $ 10546.8 |
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W6672TE320 सूचना
IXYS W6672TE320 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
- पैकेज / केस:TO-200AF
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:-
- रफ़्तार:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- डायोड प्रकार:Standard
- वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):6672A
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.37 V @ 5000 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:100 mA @ 1750 V
- धारिता @ Vr, F:-
- वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):1750 V
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):52 µs
- ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-40°C ~ 160°C
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0080
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
W6672TE320 द्वारा उपलब्ध कराया गया IXYS
1983 में सिलिकॉन वैली में अपनी स्थापना के बाद से, IXYS कॉर्पोरेशन (NASDAQ:IXYS) पावर सेमीकंडक्टर, सॉलिड स्टेट रिले, हाई वोल्टेज इंटीग्रेटेड सर्किट और माइक्रोकंट्रोलर के विकास में दुनिया भर में अग्रणी रहा है। औद्योगिक, ऑटोमोटिव, संचार, उपभोक्ता, चिकित्सा और परिवहन उद्योगों में 3,500 से अधिक के अंतिम ग्राहक आधार के साथ, IXYS उन्नत सेमीकंडक्टर का दुनिया भर में मान्यता प्राप्त प्रदाता है। IXYS विभिन्न सेमीकंडक्टर तकनीकों पर ध्यान केंद्रित करता है, जिसमें पावर MOSFETs, IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर), रेक्टिफायर, थाइरिस्टर, डायोड और अन्य असतत और एकीकृत सेमीकंडक्टर समाधान शामिल हैं। कंपनी मिश्रित-सिग्नल और एनालॉग IC, RF पावर एम्पलीफायर और पावर मैनेजमेंट IC भी बनाती है। जनवरी 2018 में, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) ने IXYS कॉर्पोरेशन का अधिग्रहण पूरा कर लिया और IXYS को NASDAQ से हटा दिया गया।
IXYS संबंधित उत्पादक
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