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GeneSiC Semiconductor KBU6M
उत्पादक मॉडल :KBU6M
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :KBU6M-DS
दस्तावेज़ : KBU6M दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
स्पॉट इन्वेंट्री: 13852
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.8406
कुल :$ 0.84
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KBU6M सूचना
GeneSiC Semiconductor KBU6M तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:4-SIP, KBU
- テクノロジー:Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:KBU
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧(最大):1 kV
- 電流 - 平均整流 ( Io):6 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1 V @ 6 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1000 V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KBU6M द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पादक
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