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IDT, Integrated Device Technology Inc F0110NBTI
उत्पादक मॉडल :F0110NBTI
Dasenic मॉडल :F0110NBTI-DS
दस्तावेज़ : F0110NBTI दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : F0110 DUAL LNA
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F0110NBTI सूचना
IDT, Integrated Device Technology Inc F0110NBTI तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:RF and Wireless/RF Amplifiers
- उत्पाद स्थिति:Active
- पैकेज / केस:16-WQFN Exposed Pad
- आवृत्ति:1.5GHz ~ 2.3GHz
- पाना:20.5dB
- पी1डीबी:22dBm
- वोल्टेज-आपूर्ति:4.75V ~ 5.25V
- वर्तमान पीढ़ी:110mA
- आरएफटाइप:3G/4G/5G
- शोरचित्र:0.5dB
- टेस्ट आवृत्ति:1.5GHz ~ 2.3GHz
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
F0110NBTI द्वारा उपलब्ध कराया गया IDT, Integrated Device Technology Inc
रेनेसास इलेक्ट्रॉनिक्स कॉर्पोरेशन (TSE: 6723) माइक्रोकंट्रोलर का दुनिया का प्रमुख आपूर्तिकर्ता और उन्नत सेमीकंडक्टर समाधानों का पसंदीदा प्रदाता है। रेनेसास इलेक्ट्रॉनिक्स की स्थापना नवंबर 2002 में दो प्रमुख जापानी सेमीकंडक्टर कंपनियों: हिताची सेमीकंडक्टर और मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक के विलय के माध्यम से की गई थी। माइक्रोकंट्रोलर, एनालॉग, पावर और SoC उत्पादों में एक वैश्विक नेता के रूप में, रेनेसास ऑटोमोटिव, औद्योगिक, घरेलू इलेक्ट्रॉनिक्स, कार्यालय स्वचालन और सूचना संचार प्रौद्योगिकी सहित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए व्यापक समाधान प्रदान करता है। कंपनी का वैश्विक मुख्यालय टोक्यो में स्थित है। यूरोप, मध्य पूर्व, एशिया और उत्तरी अमेरिका में कार्यालयों, अनुसंधान और विकास केंद्रों, विनिर्माण सुविधाओं और बिक्री संचालन के साथ रेनेसास इलेक्ट्रॉनिक्स का एक महत्वपूर्ण वैश्विक पदचिह्न है।
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