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Infineon Technologies FP35R12KT4BOSA1
IGBT MOD 1200V 35A 210W
उत्पादक मॉडल :FP35R12KT4BOSA1
उत्पादक :Infineon Technologies
Dasenic मॉडल :FP35R12KT4BOSA1-DS
दस्तावेज़ :
FP35R12KT4BOSA1 दस्तावेज़
FP35R12KT4BOSA1 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT MOD 1200V 35A 210W
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 86.8000 | $ 86.8 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 1503
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
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मात्रा :
मापक :$ 86.8
कुल :$ 86.80
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FP35R12KT4BOSA1 सूचना
Infineon Technologies FP35R12KT4BOSA1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:210 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):35 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.25V @ 15V, 35A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:2 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FP35R12KT4BOSA1 द्वारा उपलब्ध कराया गया Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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