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Onsemi HGTD3N60C3S9A
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
उत्पादक मॉडल :HGTD3N60C3S9A
उत्पादक :Onsemi
Dasenic मॉडल :HGTD3N60C3S9A-DS
दस्तावेज़ :
HGTD3N60C3S9A दस्तावेज़
HGTD3N60C3S9A दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : IGBT 600V 6A 33W TO252AA
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.3705 | $ 0.37 |
| 25+ | $ 0.3632 | $ 9.08 |
| 100+ | $ 0.3483 | $ 34.83 |
| 500+ | $ 0.3335 | $ 166.75 |
| 1000+ | $ 0.3149 | $ 314.9 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 9941
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.3705
कुल :$ 0.37
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HGTD3N60C3S9A सूचना
Onsemi HGTD3N60C3S9A तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:33 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252AA
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):6 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 3A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):24 A
- エネルギーの切り替え:85µJ (on), 245µJ (off)
- ゲートチャージ:10.8 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:480V, 3A, 82Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HGTD3N60C3S9A द्वारा उपलब्ध कराया गया Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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