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Rochester Electronics IRFR430BTF
N-CHANNEL POWER MOSFET
उत्पादक मॉडल :IRFR430BTF
उत्पादक :Rochester Electronics
Dasenic मॉडल :IRFR430BTF-DS
दस्तावेज़ :
IRFR430BTF दस्तावेज़
IRFR430BTF दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : N-CHANNEL POWER MOSFET
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.4095 | $ 0.41 |
| 25+ | $ 0.4013 | $ 10.03 |
| 100+ | $ 0.3849 | $ 38.49 |
| 500+ | $ 0.3686 | $ 184.3 |
| 1000+ | $ 0.3481 | $ 348.1 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 59940
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.4095
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IRFR430BTF सूचना
Rochester Electronics IRFR430BTF तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-3 (DPAK)
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):500 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.75A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:33 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1050 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRFR430BTF द्वारा उपलब्ध कराया गया Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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