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Rohm Semiconductor RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
उत्पादक मॉडल :RD3P08BBDTL
उत्पादक :Rohm Semiconductor
Dasenic मॉडल :RD3P08BBDTL-DS
दस्तावेज़ :
RD3P08BBDTL दस्तावेज़
RD3P08BBDTL दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 80A TO252
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 1.8540 | $ 1.85 |
| 10+ | $ 1.3950 | $ 13.95 |
| 100+ | $ 1.2330 | $ 123.3 |
| 250+ | $ 1.2240 | $ 306 |
| 500+ | $ 1.1160 | $ 558 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 11292
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 1.854
कुल :$ 1.85
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RD3P08BBDTL सूचना
Rohm Semiconductor RD3P08BBDTL तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
- 消費電力（最大）:119W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:80A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:11.6mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:37 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1940 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RD3P08BBDTL द्वारा उपलब्ध कराया गया ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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