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Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ
BGA-200 DDR SDRAM
उत्पादक मॉडल :K4F6E3S4HM-MGCJ
उत्पादक :Samsung
Dasenic मॉडल :K4F6E3S4HM-MGCJ-DS
दस्तावेज़ :
K4F6E3S4HM-MGCJ दस्तावेज़
K4F6E3S4HM-MGCJ दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : BGA-200 DDR SDRAM
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 5+ | $ 9.8873 | $ 49.44 |
| 12+ | $ 8.1127 | $ 97.35 |
| 18+ | $ 7.8592 | $ 141.47 |
| 24+ | $ 7.6056 | $ 182.53 |
| 31+ | $ 7.3522 | $ 227.92 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 9216
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 9.8873
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K4F6E3S4HM-MGCJ सूचना
Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- パッケージ/ケース:200-TFBGA
- 動作温度:-25°C ~ 85°C
- 電圧供給:1.1V
- メモリサイズ:16Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- クロック周波数:1866 MHz
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の整理:512M x 32
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
K4F6E3S4HM-MGCJ द्वारा उपलब्ध कराया गया Samsung
Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップ ソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッド ステート ドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) と NAND フラッシュ メモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイル デバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーション プロセッサやイメージ センサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。
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