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GeneSiC Semiconductor 1N1199A
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
उत्पादक मॉडल :1N1199A
उत्पादक :GeneSiC Semiconductor
Dasenic मॉडल :1N1199A-DS
दस्तावेज़ :
1N1199A दस्तावेज़
1N1199A दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 141.1000 | $ 141.1 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 2454
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
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मात्रा :
मापक :$ 141.1
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1N1199A सूचना
GeneSiC Semiconductor 1N1199A तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):12A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 12 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 50 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):50 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 200°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N1199A द्वारा उपलब्ध कराया गया GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor संबंधित उत्पादक
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