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Taiwan Semiconductor TPAR3J S1G
DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
उत्पादक मॉडल :TPAR3J S1G
उत्पादक :Taiwan Semiconductor
Dasenic मॉडल :TPAR3J S1G-DS
दस्तावेज़ :
TPAR3J S1G दस्तावेज़
TPAR3J S1G दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 0.9000 | $ 0.9 |
| 10+ | $ 0.7353 | $ 7.35 |
| 100+ | $ 0.5721 | $ 57.21 |
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TPAR3J S1G सूचना
Taiwan Semiconductor TPAR3J S1G तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-277, 3-PowerDFN
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-277A (SMPC)
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Avalanche
- 電流 - 平均整流 ( Io):3A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.55 V @ 3 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
- 静電容量 @ Vr、 F:58pF @ 4V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 逆回復時間 (trr):120 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPAR3J S1G द्वारा उपलब्ध कराया गया Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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