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Texas Instruments CSD16570Q5BT
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
उत्पादक मॉडल :CSD16570Q5BT
उत्पादक :Texas Instruments
Dasenic मॉडल :CSD16570Q5BT-DS
दस्तावेज़ :
CSD16570Q5BT दस्तावेज़
CSD16570Q5BT दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 65+ | $ 0.7317 | $ 47.56 |
| 150+ | $ 0.6003 | $ 90.05 |
| 235+ | $ 0.5814 | $ 136.63 |
| 320+ | $ 0.5625 | $ 180 |
| 415+ | $ 0.5445 | $ 225.97 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 22452
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.7317
कुल :$ 0.73
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CSD16570Q5BT सूचना
Texas Instruments CSD16570Q5BT तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-VSONP (5x6)
- 消費電力（最大）:3.2W (Ta), 195W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):25 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:0.59mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.9V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:250 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:14000 pF @ 12 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CSD16570Q5BT द्वारा उपलब्ध कराया गया Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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