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Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :RN1706JE(TE85L,F)
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :RN1706JE(TE85L,F)-DS
मनपसंदीदा :
वर्णन : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
1+$ 0.3600$ 0.36
10+$ 0.3105$ 3.11
100+$ 0.1962$ 19.62
1000+$ 0.1278$ 127.8
4000+$ 0.1071$ 428.4
स्पॉट इन्वेंट्री: 11724
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.36
कुल :$ 0.36
वितरण :
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भुगतान :
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RN1706JE(TE85L,F) सूचना

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F) तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-553
  • パワー - 最大:100mW
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ESV
  • トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
  • Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):100nA (ICBO)
  • D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
  • 周波数 - 遷移:250MHz
  • 抵抗器 - ベース ( R1):4.7kOhms
  • 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1706JE(TE85L,F) द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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