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Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
उत्पादक मॉडल :RN2970FE(TE85L,F)
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :RN2970FE(TE85L,F)-DS
दस्तावेज़ :
RN2970FE(TE85L,F) दस्तावेज़
RN2970FE(TE85L,F) दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2970FE(TE85L,F) सूचना
Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE(TE85L,F) तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:SOT-563, SOT-666
- शक्ति - अधिकतम:100mW
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:ES6
- ट्रांजिस्टर प्रकार:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- करंट - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):100mA
- वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):50V
- Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):100nA (ICBO)
- डीसी करंट गेन (h F E) (न्यूनतम) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
- आवृत्ति - संक्रमण:200MHz
- प्रतिरोधक - आधार ( R1):4.7kOhms
- प्रतिरोधक - उत्सर्जक आधार ( R2):10kOhms
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.21.0095
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RN2970FE(TE85L,F) द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
तोशिबा अमेरिका इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट्स, इंक. (TAEC) तोशिबा का उत्तरी अमेरिका इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट व्यवसाय है। TAEC ऑटोमोटिव, मल्टीमीडिया, औद्योगिक, दूरसंचार और नेटवर्किंग अनुप्रयोगों के लिए उच्च-स्तरीय माइक्रोकंट्रोलर, ASIC और ASSP सहित एक विस्तृत IC और असतत उत्पाद लाइन प्रदान करता है। कंपनी के पास एंटरप्राइज़ और कंज्यूमर HDD सहित पावर सेमीकंडक्टर समाधानों के साथ-साथ स्टोरेज उत्पादों की एक विस्तृत श्रृंखला भी है। TAEC की स्थापना 1989 में हुई थी, जो डिजाइन, निर्माण, विपणन और बिक्री प्रदान करती है, जिसके कार्यालय संयुक्त राज्य अमेरिका और लैटिन अमेरिका में हैं।
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