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Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :TPN13008NH,L1Q
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :TPN13008NH,L1Q-DS
दस्तावेज़ :pdf download TPN13008NH,L1Q दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
1+$ 0.8910$ 0.89
10+$ 0.7263$ 7.26
100+$ 0.5175$ 51.75
250+$ 0.5166$ 129.15
500+$ 0.4167$ 208.35
स्पॉट इन्वेंट्री: 12565
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.891
कुल :$ 0.89
वितरण :
dhlupsfedex
भुगतान :
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TPN13008NH,L1Q सूचना

  • Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH,L1Q तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.1x3.1)
  • 消費電力(最大):700mW (Ta), 42W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:18A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:13.3mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 200µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:18 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1600 pF @ 40 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPN13008NH,L1Q द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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