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Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH,LQ

MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :TPN22006NH,LQ
उत्पादक :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic मॉडल :TPN22006NH,LQ-DS
दस्तावेज़ :pdf download TPN22006NH,LQ दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
1+$ 0.8010$ 0.8
10+$ 0.6201$ 6.2
100+$ 0.4302$ 43.02
250+$ 0.4293$ 107.33
500+$ 0.3438$ 171.9
स्पॉट इन्वेंट्री: 6912
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.801
कुल :$ 0.80
वितरण :
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भुगतान :
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TPN22006NH,LQ सूचना

  • Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH,LQ तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 消費電力(最大):700mW (Ta), 18W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:22mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 100µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:710 pF @ 30 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):6.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPN22006NH,LQ द्वारा उपलब्ध कराया गया Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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