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UnitedSiC UJ4C075018K4S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
उत्पादक मॉडल :UJ4C075018K4S
उत्पादक :UnitedSiC
Dasenic मॉडल :UJ4C075018K4S-DS
दस्तावेज़ :
UJ4C075018K4S दस्तावेज़
UJ4C075018K4S दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 15.4980 | $ 15.5 |
| 25+ | $ 13.4730 | $ 336.83 |
| 100+ | $ 15.4980 | $ 1549.8 |
| 250+ | $ 10.7010 | $ 2675.25 |
| 500+ | $ 10.3725 | $ 5186.25 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 3240
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 15.498
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UJ4C075018K4S सूचना
UnitedSiC UJ4C075018K4S तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-4
- テクノロジー:SiCFET (Cascode SiCJFET)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
- 消費電力（最大）:385W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):750 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:81A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:23mOhm @ 20A, 12V
- Vgs(th) (最大) @ Id:6V @ 10mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:37.8 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1422 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UJ4C075018K4S द्वारा उपलब्ध कराया गया UnitedSiC
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品（IDP）事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
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