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Vishay 1N5226B-TAP
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
उत्पादक मॉडल :1N5226B-TAP
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :1N5226B-TAP-DS
दस्तावेज़ :
1N5226B-TAP दस्तावेज़
1N5226B-TAP दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.0108 | $ 0.11 |
| 271+ | $ 0.0090 | $ 2.44 |
| 500+ | $ 0.0086 | $ 4.3 |
| 1000+ | $ 0.0082 | $ 8.2 |
| 3000+ | $ 0.0078 | $ 23.4 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 8043
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1N5226B-TAP सूचना
Vishay 1N5226B-TAP तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Zener - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- सहनशीलता:±5%
- परिचालन तापमान:175°C
- माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
- पैकेज / केस:DO-204AH, DO-35, Axial
- शक्ति - अधिकतम:500 mW
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-35 (DO-204AH)
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1.1 V @ 200 mA
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:25 µA @ 1 V
- वोल्टेज - जेनर (नोम) ( Vz):3.3 V
- प्रतिबाधा (अधिकतम) ( Zzt):28 Ohms
- ईयू RoHS स्थिति:ROHS3 Compliant
- एमएसएल रेटिंग:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- पहुंच स्थिति:REACH Unaffected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- एचटीएस यूएस:8541.10.0050
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N5226B-TAP द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
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