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Vishay EGF1DHE3_A/H
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
उत्पादक मॉडल :EGF1DHE3_A/H
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :EGF1DHE3_A/H-DS
दस्तावेज़ :
EGF1DHE3_A/H दस्तावेज़
EGF1DHE3_A/H दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.5939 | $ 5.94 |
| 6000+ | $ 0.3959 | $ 2375.4 |
| 10500+ | $ 0.3676 | $ 3859.8 |
| 37500+ | $ 0.3592 | $ 13470 |
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EGF1DHE3_A/H सूचना
Vishay EGF1DHE3_A/H तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- उत्पाद स्थिति:Obsolete
- माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
- पैकेज / केस:DO-214BA
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-214BA (GF1)
- रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- डायोड प्रकार:Standard
- वर्तमान - औसत संशोधित ( Io):1A
- वोल्टेज - फॉरवर्ड ( Vf) (अधिकतम) @ यदि:1 V @ 1 A
- वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ Vr:2 µA @ 200 V
- धारिता @ Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
- वोल्टेज - डीसी रिवर्स ( Vr) (अधिकतम):200 V
- रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):50 ns
- ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-65°C ~ 175°C
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:Vendor is not defined
- यूएस ईसीसीएन:Provided as per user requirements
- चीन RoHS स्थिति:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
EGF1DHE3_A/H द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
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हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
