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Vishay EGF1DHE3_A/I

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
part number has RoHS
उत्पादक मॉडल :EGF1DHE3_A/I
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :EGF1DHE3_A/I-DS
दस्तावेज़ :pdf download EGF1DHE3_A/I दस्तावेज़
मनपसंदीदा :
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
मूल्य निर्धारण (USD) : *मूल्य के लिए आवेदन करने के लिए, कृपया दाईं ओर लक्ष्य मूल्य भेजें बटन पर क्लिक करें
मात्रामापककुल
स्पॉट इन्वेंट्री: 57
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0
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वितरण :
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EGF1DHE3_A/I सूचना

  • Vishay EGF1DHE3_A/I तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
  • श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:DO-214BA
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DO-214BA (GF1)
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):1A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1 V @ 1 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:2 µA @ 200 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:15pF @ 4V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):200 V
  • 逆回復時間 (trr):50 ns
  • 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
EGF1DHE3_A/I द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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