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Vishay SIHB20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
उत्पादक मॉडल :SIHB20N50E-GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SIHB20N50E-GE3-DS
दस्तावेज़ :
SIHB20N50E-GE3 दस्तावेज़
SIHB20N50E-GE3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 2.3310 | $ 2.33 |
| 10+ | $ 1.6830 | $ 16.83 |
| 100+ | $ 1.3680 | $ 136.8 |
| 500+ | $ 1.3320 | $ 666 |
| 1000+ | $ 1.3230 | $ 1323 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 7266
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 2.331
कुल :$ 2.33
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SIHB20N50E-GE3 सूचना
Vishay SIHB20N50E-GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK (TO-263)
- 消費電力（最大）:179W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):500 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:19A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:184mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:92 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1640 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIHB20N50E-GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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