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Vishay SIHP33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
उत्पादक मॉडल :SIHP33N60E-GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SIHP33N60E-GE3-DS
दस्तावेज़ :
SIHP33N60E-GE3 दस्तावेज़
SIHP33N60E-GE3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
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| मात्रा | मापक | कुल |
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मापक :$ 0.6305
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SIHP33N60E-GE3 सूचना
Vishay SIHP33N60E-GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- उत्पाद स्थिति:Active
- परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
- माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
- पैकेज / केस:TO-220-3
- तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
- आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-220AB
- शक्ति अपव्यय (अधिकतम):278W (Tc)
- एफईटी प्रकार:N-Channel
- एफईटी सुविधा:-
- ड्रेन से स्रोत वोल्टेज ( Vdss):600 V
- वर्तमान - निरंतर निकासी (आईडी) @ 25° C:33A (Tc)
- आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:99mOhm @ 16.5A, 10V
- वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 250µA
- गेट चार्ज ( Qg) (अधिकतम) @ Vgs:150 nC @ 10 V
- इनपुट कैपेसिटेंस ( Ciss) (अधिकतम) @ Vds:3508 pF @ 100 V
- ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds चालू, न्यूनतम Rds चालू):10V
- वीजीएस (अधिकतम):±30V
- ईयू RoHS स्थिति:RoHS Compliant
- पहुंच स्थिति:REACH is not affected
- यूएस ईसीसीएन:EAR99
- चीन RoHS स्थिति:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIHP33N60E-GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
NYSE (VSH) पर सूचीबद्ध फॉर्च्यून 1000 कंपनी, Vishay Intertechnology, Inc., असतत अर्धचालकों (डायोड, रेक्टिफायर, MOSFETs, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और चयनित IC) और निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटकों (प्रतिरोधक, प्रेरक और संधारित्र) के दुनिया के सबसे बड़े निर्माताओं में से एक है। इन घटकों का उपयोग औद्योगिक, कंप्यूटिंग, ऑटोमोटिव, उपभोक्ता, दूरसंचार, सैन्य, एयरोस्पेस, बिजली आपूर्ति और चिकित्सा बाजारों में लगभग सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और उपकरणों में किया जाता है। Vishay के उत्पाद नवाचारों, सफल अधिग्रहण रणनीति और "वन-स्टॉप शॉप" सेवा ने इसे वैश्विक उद्योग का नेता बना दिया है।
Vishay संबंधित उत्पादक
हम इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए ग्राहकों की मांग को तुरंत पूरा कर सकते हैं, यहां तक कि बाजार में दुर्लभ भागों के लिए भी।
