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Vishay SQJ262EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
उत्पादक मॉडल :SQJ262EP-T1_GE3
उत्पादक :Vishay
Dasenic मॉडल :SQJ262EP-T1_GE3-DS
दस्तावेज़ :
SQJ262EP-T1_GE3 दस्तावेज़
SQJ262EP-T1_GE3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 0.8473 | $ 8.47 |
| 3000+ | $ 0.4707 | $ 1412.1 |
| 6000+ | $ 0.4410 | $ 2646 |
स्पॉट इन्वेंट्री: 21463
MOQ :1 PCS
पैकिंग :-
प्रदान समय :48 घंटे के भीतर भेजें
शिपिंग उत्पत्ति :शेन्ज़ेन या हांगकांग गोदाम
मात्रा :
मापक :$ 0.8473
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SQJ262EP-T1_GE3 सूचना
Vishay SQJ262EP-T1_GE3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
- パワー - 最大:27W (Tc), 48W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:15A (Tc), 40A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10nC @ 10V, 23nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SQJ262EP-T1_GE3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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