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Wolfspeed C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET
उत्पादक मॉडल :C3M0032120J1
उत्पादक :Wolfspeed
Dasenic मॉडल :C3M0032120J1-DS
दस्तावेज़ :
C3M0032120J1 दस्तावेज़
C3M0032120J1 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : 1200V 32MOHM SIC MOSFET
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 1+ | $ 12.6180 | $ 12.62 |
| 100+ | $ 12.0690 | $ 1206.9 |
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मात्रा :
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कुल :$ 12.62
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C3M0032120J1 सूचना
Wolfspeed C3M0032120J1 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力（最大）:277W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:68A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:43mOhm @ 41.4A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 11.5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:111 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3424 pF @ 1000 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):+15V, -4V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0032120J1 द्वारा उपलब्ध कराया गया Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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