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Wolfspeed CAS325M12HM2
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
उत्पादक मॉडल :CAS325M12HM2
उत्पादक :Wolfspeed
Dasenic मॉडल :CAS325M12HM2-DS
दस्तावेज़ :
CAS325M12HM2 दस्तावेज़
CAS325M12HM2 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
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| मात्रा | मापक | कुल |
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CAS325M12HM2 सूचना
Wolfspeed CAS325M12HM2 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:3000W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:444A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.3mOhm @ 400A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 105mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1127nC @ 20V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:19.5nF @ 1000V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
CAS325M12HM2 द्वारा उपलब्ध कराया गया Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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