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Wolfspeed WAB300M12BM3
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
उत्पादक मॉडल :WAB300M12BM3
उत्पादक :Wolfspeed
Dasenic मॉडल :WAB300M12BM3-DS
दस्तावेज़ :
WAB300M12BM3 दस्तावेज़
WAB300M12BM3 दस्तावेज़मनपसंदीदा :
वर्णन : 1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
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| मात्रा | मापक | कुल |
| 10+ | $ 1747.2760 | $ 17472.76 |
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पैकिंग :-
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मात्रा :
मापक :$ 1747.276
कुल :$ 1747.28
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WAB300M12BM3 सूचना
Wolfspeed WAB300M12BM3 तकनीकी विनिर्देश, विशेषताएँ, पैरामीटर।
- श्रेणी:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:382A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.2mOhm @ 300A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 92mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:908nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:24500pF @ 1000V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WAB300M12BM3 द्वारा उपलब्ध कराया गया Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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